Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้เปิดตัว “TPH3R10AQM” ซึ่งเป็น MOSFET พลังงาน N-channel 100V ที่ประดิษฐ์ขึ้นด้วยกระบวนการรุ่นล่าสุดของ Toshiba นั่นคือ U-MOS X-H ผลิตภัณฑ์มุ่งเป้าไปที่การใช้งาน เช่น วงจรสวิตชิ่งและวงจร Hot swap[1] บนสายไฟของอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ใช้สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร เริ่มจัดส่งแล้ววันนี้
TPH3R10AQM เป็นผู้นำในอุตสาหกรรม[2] 3.1mΩ ความต้านทานต่อแหล่งเดรนสูงสุด 16%[2] ต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ 100V ของ Toshiba “TPH3R70APL” ซึ่งใช้กระบวนการรุ่นก่อนหน้า จากการเปรียบเทียบแบบเดียวกัน TPH3R10AQM ได้ขยายพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยถึง 76%[3] ทำให้เหมาะสำหรับการทำงานในโหมดเชิงเส้น การลด On-resistance และการขยายช่วงการทำงานเชิงเส้นในพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัยจะลดจำนวนการเชื่อมต่อแบบขนาน นอกจากนี้ ช่วงแรงดันธรณีประตูที่ 2.5V ถึง 3.5V ทำให้มีโอกาสน้อยที่จะทำงานผิดพลาดเนื่องจากสัญญาณรบกวนของแรงดันเกต
ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ SOP Advance(N) ที่เข้ากันได้สูง
Toshiba จะยังคงขยายไลน์อัพพาวเวอร์ MOSFET ที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของพาวเวอร์ซัพพลายโดยการลดการสูญเสีย และช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์
การใช้งาน
- พาวเวอร์ซัพพลายสำหรับอุปกรณ์สื่อสาร เช่น สำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร
- แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง (ตัวแปลง DC-DC ประสิทธิภาพสูง ฯลฯ)
คุณสมบัติ
- นำเสนอค่าความต้านทาน On-resistance ต่ำที่ยอดเยี่ยมในอุตสาหกรรม[2] : RDS(ON)=3.1mΩ (สูงสุด) (VGS=10V)
- พื้นที่ปฏิบัติการที่ปลอดภัยกว้าง
- ระดับอุณหภูมิช่องสูง: Tch (สูงสุด)=175°C
หมายเหตุ:
[1] วงจรสำหรับเชื่อมต่อและถอดชิ้นส่วนต่าง ๆ ในระบบโดยไม่ต้องปิดระบบในขณะที่อุปกรณ์ทำงาน
[2] ผลสำรวจของ Toshiba ณ เดือนมิถุนายน 2023
[3] ความกว้างของพัลส์: tw=10ms, VDS=48V
| ข้อมูลจำเพาะหลัก | |||
| (นอกจากที่ระบุไว้, Ta=25°C) | |||
| หมายเลขชิ้นส่วน | TPH3R10AQM | ||
| การจัดอันดับสูงสุดแบบสัมบูรณ์ | แรงดันจากเดรน VDSS (V) | 100 | |
| กระแสเดรน (DC) ID (A) | Tc=25°C | ||
| อุณหภูมิช่อง Tch (°C) | 175 | ||
| คุณสมบัติทางไฟฟ้า | ความต้านทานต่อไฟฟ้าจากเดรน RDS(ON)
max (mΩ) |
VGS=10V | 3.1 |
| VGS=6V | 6.0 | ||
| ค่าเกตทั้งหมด (gate-source plus gate-drain) Qg typ. (nC) | 83 | ||
| ค่าการสลับเกต Qsw typ. (nC) | 32 | ||
| ค่าเอาต์พุต Qoss typ. (nC) | 88 | ||
| ค่าตัวเก็บประจุระหว่างอินพุต Ciss typ. (pF) | 5180 | ||
| แพ็กเกจ | ชื่อ | SOP Advance(N) | |
| ขนาด typ. (มม.) | 4.9×6.1 | ||
| การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน | ซื้อออนไลน์ | ||
ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TPH3R10AQM
ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs
To check availability of the new products at online distributors, visit:
หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่
TPH3R10AQM
ซื้อออนไลน์
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
